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1、场效应管及其放大电路1．场效应管基本工作原理场效应管的导电沟道是一个可变电阻。

2、外加电压改变导电沟道的几何尺寸，以改变其漏源间电阻的大小，达到控制电流的目的。

3、场效应管内沟道的形成有两种情况，一种是器件制成后，管内有固定的导电沟道；另一种是依靠外加电压形成导电沟道。

4、对于管内有原始沟道的场效应管，当外加栅源电压等于夹断电压时，导电沟道消失，管子截止。

5、而对于依靠外加(栅源)电压形成沟道的场效应管，当外加栅源电压达到开启电压时，导电沟道出现，管子由截止转入导通。

6、漏源电压对电流的控制作用，在两种不同的情况有明显区别。

7、一种情况是靠近漏极有足够宽的沟道，这时漏极对电流的控制作用大；另一种情况是靠近漏极端的沟道消失，此时加大漏极电压，将使沟道消失的区域向源极端扩展。

8、沟道电阻急剧增大，漏极电压对电流的控制作用显著减小，这种情况称为进入饱和区。

9、进入饱和区的临界情况是，漏极与栅极之间的电压差等于夹断(对有原始沟道器件)或开启(对依靠外加电压形成沟道器件)电压。

10、进入饱和区后，漏极电压对电流控制作用之所以减小，是因为漏源间电阻增大的程度较之未进入饱和区为大，和漏源电压增大电流的作用起抵消作用。

11、场效应管管内只有一种载流子(要么是带负电的电子，要么是带正电的空穴)导电，而以前介绍的晶体管有两种载流子导电。

12、人们将有两种载流子导电的晶体管称为双极型晶体管，而场效应管又称为单极型晶体管。

13、2场效应管放大电路（1）直流偏置电路由于FET是电压控制器件，要求建立合适的直流偏置电压vGS。

14、采用的方法主要有自偏压和分压式自偏压，前者适用于耗尽型FET，后者适用于各种类型的FET，应用较广。

15、（2）静态分析可采用图解法和计算法。

16、（3）动态分析FET的低频等效电路与双极型三极管相似，都可以用受控电流源等效，只是输入电阻rgs很大，通常作为开路处理。

17、场效应管（FET）路放大电路有共源极、共漏极和共栅极三种接法，对于每一种接法的电路，求解AV、Ri和Ro等放大性能指标的方法与双极型三极管放大电路类似。

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